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聯電傳攜手英特爾攻3奈米製程 劍指台積電晶圓代工霸主地位

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創新聞

2 小時前

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【創新聞記者 陳雅琪/整理報導】全球半導體產業競爭再掀波瀾。根據外媒報導及市場消息指出,台灣晶圓代工大廠聯電(UMC)除與美國晶片巨頭英特爾(Intel)合作開發12奈米FinFET製程平台外,雙方未來合作範圍更可能進一步延伸至3奈米先進製程領域。若相關計畫成真,將成為聯電成立以來最具指標性的技術升級,也可能改變全球晶圓代工市場競爭版圖。

科技媒體《Wccftech》引述AI投研機構FundaAI報告指出,聯電目前已與英特爾合作,在英特爾位於美國亞利桑那州的晶圓廠共同開發與生產12奈米FinFET(鰭式場效電晶體)製程平台。此項合作受到市場高度關注,主要原因在於聯電可藉由英特爾既有先進製造基地與設備資源,在無須自行興建新廠及投入龐大資本支出的情況下,將技術能力從成熟製程推進至更先進的製程節點。

報導指出,聯電長年深耕成熟製程市場,在車用電子、工業控制、消費電子及通訊晶片等領域擁有穩定客戶基礎。然而面對全球半導體產業技術快速演進,以及先進製程市場持續成長,聯電近年也積極尋求轉型升級機會。此次與英特爾合作,被視為聯電跨入更高階製程的重要布局。

根據規劃,雙方合作的12奈米FinFET製程平台將鎖定物聯網(IoT)、Wi-Fi連接晶片、高速介面晶片等應用市場。相較於成熟製程市場激烈價格競爭,上述應用領域具有較高附加價值與成長潛力,有助於聯電提升產品競爭力與獲利能力。

市場消息指出,目前12奈米製程合作計畫進展順利,預計2026年開始向客戶提供PDK(製程設計套件)與相關IP支援服務,2027年進入投片(Tape-out)階段,並於2027年底正式啟動量產。

更受到市場矚目的是,FundaAI進一步透露,聯電與英特爾未來可能攜手進軍3奈米製程技術開發。若相關合作正式啟動,預料將延續12奈米合作模式,由英特爾提供先進製造產能與廠房資源,聯電則貢獻多年累積的晶圓代工服務經驗與客戶資源,雙方共同分擔開發風險與成本。

據了解,雙方合作目標是打造接近台積電3奈米技術水準的製程平台,藉此提升英特爾晶圓代工服務(Intel Foundry)在全球市場的競爭力。對英特爾而言,聯電長年深耕晶圓代工市場,擁有完整客戶基礎及代工經驗,正好能補足其過去在純晶圓代工服務領域相對不足之處。

聯電總經理王石日前也曾透露,雙方於美國亞利桑那州合作開發的12奈米FinFET製程驗證進展順利,目前已進入驗證階段,預計明年開始量產,顯示合作案正按計畫推進。

產業人士分析,過去全球先進製程市場長期由台積電、三星電子及英特爾三大陣營主導。然而在地緣政治、供應鏈重組與半導體自主化趨勢推動下,產業合作模式也逐漸改變。聯電與英特爾若能深化合作,不僅有機會為雙方創造互補效益,也可能為全球晶圓代工市場帶來新的競爭格局。

不過,截至目前為止,聯電與英特爾尚未正式對3奈米合作傳聞作出公開證實。市場認為,相關消息仍有待雙方進一步公告與說明,未來合作內容及實際進展仍值得持續觀察。(照片/記者 陳雅琪 翻攝)

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