英特爾布局14A2製程 雙面供電迎戰台積電、三星先進製程競爭

面對全球晶圓代工競爭持續升溫，英特爾（Intel）正積極規劃14A製程的升級版本14A2，藉由導入創新的雙面供電（Dual-Sided Power Delivery）架構，進一步提升晶片效能與電晶體密度，迎戰台積電與三星在1.4奈米製程的競爭。根據《Wccftech》報導，英特爾14A製程原本便導入PowerDirect背面供電（Backside Power Delivery Network，BSPDN）技術，透過從晶片背面供電，改善訊號完整性並降低電源傳輸損耗。新一代14A2則將進一步採用正反雙面供電架構，同時利用晶片正面與背面傳輸電力，以因應21奈米金屬間距帶來的電阻增加，以及微型通孔（nTSVs）承載能力受限等挑戰。英特爾規劃以BSPDN作為主要供電來源，再搭配正面金屬層共同分配電力，以提升供電效率與整體運算表現。在製程技術方面，14A已將最小金屬間距（M0 Pitch）縮小至28奈米，電晶體密度提升約30%；14A2則預計進一步縮小至21奈米，並透過雙重曝光等技術持續提高晶片密度與效能。英特爾預計明年推出14A製程，台積電A14製程亦將於明年開始量產，而三星則規劃於2029年量產1.4奈米製程。隨著台積電先進製程產能持續吃緊，不少晶片設計業者也開始評估與英特爾、三星等代工廠合作的可能性。對台灣而言，先進製程競賽持續升溫，代表全球半導體設備、材料、EDA設計工具及先進封裝需求將同步成長。雖然台積電目前仍維持技術與良率優勢，但英特爾積極強化代工布局，也將加速全球晶圓代工市場競爭，促使供應鏈持續投入更高階製程與先進封裝技術發展。