在量子科技創新中，臺灣再度站上國際舞台。國立臺灣師範大學物理系與美國加州理工學院（Caltech）合作，成功突破量子記憶體技術的關鍵瓶頸，實現僅0.65奈米厚的單層二硫化鉬（MoS₂）材料具備非揮發性記憶特性，為量子計算與高精度感測技術開啟全新局面。這項研究成果已於2024年底發表在國際權威期刊《Advanced Materials》，獲得學術界高度評價。
研究團隊發現，在極低溫（20K）和高磁場環境下，單層二硫化鉬的晶格結構會因磁場誘發而產生非對稱膨脹，導致類鐵電極性有序現象。這一現象不僅突破了傳統鐵電材料在奈米尺度下無法穩定運作的限制，也證實了單層半導體材料在量子記憶體領域的應用潛力。團隊利用特殊設計的場效電晶體結構，觀察到類似「蝴蝶型滯後」的電滯現象，為低溫環境下的穩定記憶提供了有效解決方案。
這項研究由臺師大物理系教授陸亭樺、藍彥文、博士後研究員張文豪，以及臺師大玉山學者、Caltech教授葉乃裳、博士生郝篤行等人攜手合作，並獲得臺灣國科會與美國國家科學基金會的支持。研究成果不僅展示了臺灣在基礎科學領域的創新能力，也深化了臺師大與Caltech的國際科研合作，進一步鞏固了臺灣在量子科技領域的全球地位。
研究團隊指出，這項技術不僅能應用於量子記憶體，還可延伸至超靈敏磁場感測器與奈米電子元件的開發，為未來的科技創新鋪平道路。隨著研究的深入，這項突破性技術有望成為量子計算與半導體產業的關鍵基石。
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